发明名称 薄膜太阳能电池及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI493736 申请公布日期 2015.07.21
申请号 TW101142338 申请日期 2012.11.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 李文钦;余良胜;严文材;邱永昇
分类号 H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种薄膜太阳能电池,包括:一底电极层,形成于一基板之上;一半导体吸收体层,形成于该底电极层之上,该吸收体层具有一p型内部区以及一n型外部区,该n型外部区自该p型内部区之一经改质的原生部分形成,其中该p型内部区以及该n型外部区形成一n-p接面,该n-p接面为该吸收体层的一固有部分;以及一顶电极层,形成于该吸收体层之上,透过一于该吸收体层中定义侧壁的切割道,将该顶电极层电性连接至该底电极层;其中,该吸收体层的该n型外部区延伸至在该切割道中的侧壁之上。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号