| 发明名称 | 非挥发性记忆体及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI493693 | 申请公布日期 | 2015.07.21 |
| 申请号 | TW099139029 | 申请日期 | 2010.11.12 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴冠纬;杨怡箴;张耀文;卢道政 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种非挥发性记忆体，包括：一基底；一闸极结构，配置于该基底上，该闸极结构包括：一电荷储存结构，配置于该基底上；一闸极，配置于该电荷储存结构上；以及一间隙壁，配置于该闸极与该电荷储存结构的侧壁上；一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别配置于该电荷储存结构二侧的该基底中，且至少位于该间隙壁的下方，该第一掺杂区与该第二掺杂区分别作为源极区与汲极区；以及一对隔离结构，分别配置于该闸极结构二侧的该基底中，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区分别仅接触该些隔离结构的侧壁，且并未位于该些隔离结构的下方。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||