| 主权项 |
一种半导体装置，包含：第一半导体层，具有第一导电类型，其中所述第一半导体层形成于一半导体衬底之上，所述半导体衬底具有第二导电类型；阴极接触区，形成于第一半导体层上，其中所述阴极接触区为重掺杂，具有第一导电类型；保护环，形成于所述第一半导体层上，形成一肖特基视窗，其中所述保护环与所述第一半导体层的交界处为保护环介面，所述保护环具有第二导电类型，所述保护环与一保护环接触相连；肖特基二极体金属接触，连接到所述第一半导体层，所述肖特基二极体金属接触与所述第一半导体层交界处为肖特基二极体介面，其中，所述肖特基二极体介面位于所述肖特基视窗内部，并与所述保护环隔开；以及电阻模组，耦接于所述肖特基二极体金属接触和所述保护环之间。 |
