| 发明名称 |
钨材料的原子层沈积法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI493058 |
申请公布日期 |
2015.07.21 |
| 申请号 |
TW097117852 |
申请日期 |
2008.05.15 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
坎多尔沃夫亚弥特;摩西马德夫;杰拉多斯巴艾夫杰尼诺斯Ｖ;吴凯 |
| 分类号 |
C23C14/00;C23C16/00 |
主分类号 |
C23C14/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种用于在一基材上形成一含钨材料的方法，包括：在一处理室内放置一基材，其中该基材包括一配置于其上的下覆层(underlayer)；在一原子层沉积处理期间将该基材依序暴露于一钨前驱物和一还原气体以在该下覆层上沉积一钨成核层，其中该还原气体包括氢气和一氢化物，并具有一约500：1或更高的氢气/氢化物流速比；以及在该钨成核层上沉积一钨块层(bulk layer)。 |
| 地址 |
美国 |
