| 摘要 |
<p>플로팅 게이트와 분리된 소거 게이트, 보다 구체적으로 소거 동작을 촉진시키는 개선된 에지를 구비한 플로팅 게이트를 구비하는 비-휘발성 메모리 셀을 개시한다. 플로팅 게이트는 제2 절연층에 의해 채널 영역으로부터 분리되는 하부면과 상기 하부면에 대향하는 상부면을 구비한다. 플로팅 게이트는 워드 라인 게이트와 인접하되 그로부터 분리되어 있는 제1 측벽과, 상기 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽을 구비한다. 제2 측벽과 상부면은 샤프 에지를 형성하고, 길이면에서 상기 제2 측벽은 상기 제1 측벽보다 크다. 상부면은 제1 측벽으로부터 제2 측벽을 향해 상방으로 경사져 있다. 커플링 게이트는 플로팅 게이트의 상부면 위에 위치하고, 제3 절연층에 의해 그로부터 절연된다.</p> |
