发明名称 |
用于直通矽晶穿孔金属化之黏着层;ADHESION LAYER FOR THROUGH SILICON VIA METALLIZATION |
摘要 |
为了达成以下内容并且依照本发明之目的,提供一种在矽晶圆中形成填铜矽穿孔特征部的方法。在晶圆中蚀刻矽穿孔。在矽穿孔内形成绝缘体层。在矽穿孔内形成阻障层。在阻障层上方沉积不具有氧化物的矽、锗、或SiGe黏着层。在黏着层上方沉积晶种层,然后使晶圆回火。以铜或铜合金来填充特征部。使堆叠体回火。 |
申请公布号 |
TW201528426 |
申请公布日期 |
2015.07.16 |
申请号 |
TW103127654 |
申请日期 |
2014.08.12 |
申请人 |
兰姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION |
发明人 |
寇力克斯 亚图 KOLICS, ARTUR |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/48(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
许峻荣 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |