发明名称 用于直通矽晶穿孔金属化之黏着层;ADHESION LAYER FOR THROUGH SILICON VIA METALLIZATION
摘要 为了达成以下内容并且依照本发明之目的,提供一种在矽晶圆中形成填铜矽穿孔特征部的方法。在晶圆中蚀刻矽穿孔。在矽穿孔内形成绝缘体层。在矽穿孔内形成阻障层。在阻障层上方沉积不具有氧化物的矽、锗、或SiGe黏着层。在黏着层上方沉积晶种层,然后使晶圆回火。以铜或铜合金来填充特征部。使堆叠体回火。
申请公布号 TW201528426 申请公布日期 2015.07.16
申请号 TW103127654 申请日期 2014.08.12
申请人 兰姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION 发明人 寇力克斯 亚图 KOLICS, ARTUR
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 许峻荣
主权项
地址 美国 US