氮化矽膜及其制造方法与其制造装置;Silicon nitride film and method and apparatus for manufacturing the same

摘要

本发明系提供一种将有机矽烷作为原料且经由电浆CVD法形成的氮化矽膜方法，其中相对于矽原子与氮原子含量，能降低碳原子及/或氢原子的含量比，且能提升膜的品质的电气特性等。本发明之一的氮化矽膜系利用电浆CVD法，藉由将有机矽烷以及选自由氢气与氨气所组成之群组之至少一种的添加气体进行电浆化所形成。在此氮化矽膜中的矽原子含量与氮原子含量的总合设为1时，碳原子的含量比未达0.8。此外，在此氮化矽膜中的矽原子含量与氮原子含量的总合设为1时，氢原子的含量比未达0.9。根据该氮化矽膜，由于使漏电流降低等的特性改善，因而能实现提升具有该氮化矽膜的各种装置的可靠性。