| 发明名称 |
电浆处理方法;PLASMA TREATMENT METHOD |
| 摘要 |
本发明旨在提供一种电浆处理方法，可以同等之蚀刻速率蚀刻不同密度之区域。其中，使用表面波电浆蚀刻时，各层之材料，皆含有Si及N，其处理气体，包含氢氟碳化合物气体、稀有气体及氧气，对基板侧之既定处施加高频偏压电位。产生高频偏压电位，施加于基板每单位面积之电力，在0W/m 2 以上，400W/m 2 以下。 |
| 申请公布号 |
TW201528365 |
申请公布日期 |
2015.07.16 |
| 申请号 |
TW103130482 |
申请日期 |
2014.09.03 |
| 申请人 |
东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
鎌田美子 KAMADA, TOMIKO;大竹浩人 OHTAKE, HIROTO |
| 分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01J37/32(2006.01);H01L29/66(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋周良吉 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
