降低用于先进鳍式场效电晶体形成之介电层的Ｋ値之方法;METHOD TO REDUCE K VALUE OF DIELECTRIC LAYER FOR ADVANCED FINFET FORMATION

摘要

在此描述的实施例大体上关于形成闸极结构的方法。可于闸极介电材料上执行各种制程以减少介电材料之K值。具有减少的K值的闸极介电质可提供减少的寄生电容与整体减少的电容。可不受限于热力而修饰闸极介电质。