发明名称 半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 提供一种包括电晶体和含有Cu且用于布线,信号线,或类似的金属膜的新颖半导体装置。该半导体装置包括:第一布线,第二布线,第一电晶体和第二电晶体。第一布线电连接到第一电晶体的源极或汲极,和第二布线电连接到第二电晶体的闸极。第一布线和第二布线各包括一种Cu-X合金膜(X是Mn,Ni,Cr,Fe,Co,Mo,Ta,或Ti)。在第一布线中的Cu-X合金膜被连接到第二布线中的Cu-X合金膜。
申请公布号 TW201528506 申请公布日期 2015.07.16
申请号 TW103141189 申请日期 2014.11.27
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 肥塚纯一 KOEZUKA, JUNICHI;岛行徳 SHIMA, YUKINORI;神长正美 JINTYOU, MASAMI;羽持贵士 HAMOCHI, TAKASHI;日向野聡 HIGANO, SATOSHI;山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
分类号 H01L29/66(2006.01) 主分类号 H01L29/66(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP