发明名称 半导体基板的制造方法、半导体基板、太阳电池元件的制造方法及太阳电池元件;METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING PHOTOVOLTAIC CELL ELEMENT, AND PHOTOVOLTAIC CELL ELEMENT
摘要 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法,包括:于半导体基板的至少一部分上,于各不相同的区域中赋予n型扩散层形成组成物及p型扩散层形成组成物的步骤,其中所述n型扩散层形成组成物含有含施体元素的玻璃粒子及分散介质,所述p型扩散层形成组成物含有含受体元素的玻璃粒子及分散介质;以及藉由进行热处理而形成n型扩散层,且形成p型扩散层的步骤。; and heat-treating the semiconductor substrate to form an n-type diffusion layer and a p-type diffusion layer.
申请公布号 TW201528531 申请公布日期 2015.07.16
申请号 TW103144506 申请日期 2014.12.19
申请人 日立化成股份有限公司 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. 发明人 织田明博 ORITA, AKIHIRO;吉田诚人 YOSHIDA, MASATO;野尻刚 NOJIRI, TAKESHI;仓田靖 KURATA, YASUSHI;芦沢寅之助 ASHIZAWA, TORANOSUKE;町井洋一 MACHII, YOICHI;岩室光则 IWAMURO, MITSUNORI;佐藤英一 SATOU, EIICHI;清水麻理 SHIMIZU, MARI;佐藤鉄也 SATO, TETSUYA
分类号 H01L31/0328(2006.01);H01L21/38(2006.01) 主分类号 H01L31/0328(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 日本 JP