ＧａＮ模板基板及装置基板

摘要

本发明为实现不会发生条状的形态异常之装置基板。GaN模板基板为包括：基底基板、及磊晶形成在基底基板之上的第1GaN层，以满足内藏在第1GaN层的平面方向之压缩应力为260MPa以上、或是在拉曼光谱中波长568nm -1 附近之GaN的E2声子之波峰半宽为1.8cm -1 以下两者的方式，使装置基板包括：磊晶形成在第1GaN层之上的第2GaN层、及磊晶形成在第2GaN层之上之由13族氮化物构成的装置层。