发明名称 |
用于互补金氧半导体堆叠晶片应用的单光子崩溃二极体成像感测器;SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE IMAGING SENSOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR STACKED CHIP APPLICATIONS |
摘要 |
本发明揭示一种成像感测器系统,其包含一单光子崩溃二极体(SPAD)成像阵列,该SPAD成像阵列包含形成于一第一晶圆之一第一半导体层中之N个像素。每一像素之该第一半导体层之实质上一整个厚度系全空乏的,以使得包含于每一像素中靠近一前侧之一倍增区域经组态为透过一背侧及透过该全空乏第一半导体层之该实质上整个厚度用光子进行照明。深n型隔离区域安置于该第一半导体层中在该等像素之间以隔离该等像素。N个数位计数器形成于接合至该第一晶圆之一第二晶圆之一第二半导体层中。该N个数位计数器中之每一者耦合至该SPAD成像阵列且经耦合以计数由该等像素中之一各别者产生之输出脉冲。 |
申请公布号 |
TW201528487 |
申请公布日期 |
2015.07.16 |
申请号 |
TW103128170 |
申请日期 |
2014.08.15 |
申请人 |
豪威科技股份有限公司 OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC. |
发明人 |
韦伯斯特 艾瑞克A G WEBSTER, ERIC A. G. |
分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |