发明名称 |
外部SRAM动态监测器 |
摘要 |
本实用新型提供了一种外部SRAM动态监测器,用于在低资源消耗的前提下,对至少一个外部SRAM进行监测,其特征在于,包括:分区部,将每个外部SRAM分为具有相应地址的至少两个SRAM子单元;设定输出部,被用于选择SRAM子单元并输出与该SRAM子单元的地址相对应的地址信号;控制部,包含:用于读取每个SRAM子单元中的数据信号的读取单元、选择地址信号相对应的数据信号的获取单元、用于缓存数据信号的RAM;以及处理部,用于对被RAM缓存的数据信号进行处理得到数据内容。 |
申请公布号 |
CN204480673U |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201520020204.1 |
申请日期 |
2015.01.13 |
申请人 |
上海理工大学;上海瑞影医疗科技有限公司 |
发明人 |
周峥;郑政 |
分类号 |
G11C29/56(2006.01)I;G06F13/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/56(2006.01)I |
代理机构 |
上海德昭知识产权代理有限公司 31204 |
代理人 |
郁旦蓉 |
主权项 |
一种外部SRAM动态监测器,用于对至少一个外部SRAM进行监测,其特征在于,包括:分区部,将每个所述外部SRAM分为具有相应地址的至少两个SRAM子单元;设定输出部,被用于选择所述SRAM子单元并输出与该SRAM子单元的所述地址相对应的地址信号;控制部,包含:用于读取每个所述SRAM子单元中的数据信号的读取单元、选择所述地址信号相对应的所述数据信号的获取单元、用于缓存所述数据信号的RAM;以及处理部,用于对被所述RAM缓存的所述数据信号进行处理得到数据内容。 |
地址 |
200080 上海市杨浦区军工路516号 |