| 发明名称 | 制作PN结隔离结构的方法及PN结隔离结构 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种制作PN结隔离结构的方法，该方法包括以下步骤：在P型衬底上形成凸起部；在凸起部的表面上注入P型离子，形成第一P型掺杂区；在P型衬底上生长N型外延层；在N型外延层表面注入P型离子，形成在厚度方向上与第一P型掺杂区位置对应的第二P型掺杂区；使用高温退火进行驱入，使得N型外延层表面的第二P型掺杂区与凸起部表面的第一P型掺杂区对接，从而形成PN结隔离结构。本发明减小了结隔离结构的横向扩散，提高了半导体器件的集成度，也大大减少了驱入工艺所用的时间。本发明还揭示了一种PN结隔离结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104779194A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410016417.7 | 申请日期 | 2014.01.14 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种制作PN结隔离结构的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤S1：在P型衬底上形成凸起部。步骤S2：在凸起部的表面上注入P型离子，形成第一P型掺杂区。步骤S3：在P型衬底上生长N型外延层。步骤S4：在N型外延层表面注入P型离子，形成在厚度方向上与第一P型掺杂区位置对应的第二P型掺杂区。步骤S5：使用高温退火进行驱入，使得N型外延层表面的第二P型掺杂区与凸起部表面的第一P型掺杂区对接，从而形成PN结隔离结构。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||