一种超低衰减单模光纤

摘要

本发明涉及一种超低衰减单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于纤芯层半径r₁为3.9～4.8μm，相对折射率差Δn₁为-0.08％～0.10％，纤芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r₂为9～14μm，相对折射率差Δn₂为-0.40％～-0.15％；所述的下陷内包层r₃为13～25μm，相对折射率差Δn₃范围为-0.7％～-0.3％；所述的辅助外包层r₄为30～50μm，相对折射率差Δn₄范围为-0.4％～-0.15％；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明降低光纤的衰减参数，使光纤具备超低衰减性能；本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，且兼容G652标准；较宽的下陷包层结构，对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。

主权项

一种超低衰减单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于纤芯层半径r₁为3.9～4.8μm，相对折射率差Δn₁为‑0.08％～0.10％，纤芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r₂为9～14μm，相对折射率差Δn₂为‑0.40％～‑0.15％；所述的下陷内包层r₃为13～25μm，相对折射率差Δn₃范围为‑0.7％～‑0.3％；所述的辅助外包层r₄为30～50μm，相对折射率差Δn₄范围为‑0.4％～‑0.15％；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。