| 发明名称 | 一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构，所述绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构自下而上依次为硅衬底层、阻止N型杂质原子向硅衬底层扩散的SiO<sub>2</sub>埋层、N型掺杂锗薄膜层和由Si氧化生成的SiO<sub>2</sub>层，所述SiO<sub>2</sub>埋层的厚度≥200nm，N型掺杂锗薄膜层的厚度为≤30nm；N型掺杂锗薄膜层中掺杂元素为磷元素、砷元素或锑元素，掺杂元素的浓度≥10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>。本实用新型的N型掺杂锗具有更高的晶体质量和掺杂浓度，锗薄膜中载流子的激活率也较高。 | ||
| 申请公布号 | CN204481030U | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201520149937.5 | 申请日期 | 2015.03.17 |
| 申请人 | 福建工程学院 | 发明人 | 黄诗浩;陈佳新;谢文明;林抒毅;聂明星;邵明;林承华;蒋新华 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人 | 王晓彬 |
| 主权项 | 一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构，其特征在于，所述绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构自下而上依次为硅衬底层、阻止N型杂质原子向硅衬底层扩散的SiO<sub>2</sub>埋层、N型掺杂锗薄膜层和由Si氧化生成的SiO<sub>2</sub>层，所述SiO<sub>2</sub>埋层的厚度≥200nm，N型掺杂锗薄膜层的厚度为≤30nm；所述N型掺杂锗薄膜层中掺杂元素的浓度≥10<sup>17</sup>cm<sup>‑3</sup>。 | ||
| 地址 | 350118 福建省福州市大学新区学园路3号 | ||