一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法

摘要

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法，以解决现有技术中对旋转涂布玻璃层进行回刻，造成金属层间介质层的表面平坦化效果较差，影响集成电路可靠性的问题。本发明实施例提供了一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法，由于对两层SOG层分别进行离子固化处理，避免了两层SOG层厚度固化不完全，导致集成电路出现断层的问题，并且本发明实施例中不需要对第二层SOG层进行回刻处理，也就避免了由于刻蚀速度不同导致的金属层间介质层的表面平坦化程度恶化的问题，提高了金属层间介质层表面的平坦化效果，也增强了集成电路的可靠性。

主权项

一种集成电路的金属层间介质层平坦化的方法，其特征在于，该方法包括：在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化硅层；在所述第一层二氧化硅层表面涂覆第一旋转涂布玻璃SOG层，并对含有第一SOG层的集成电路半成品进行热处理；对所述第一SOG层进行离子注入处理，形成第一固化SOG层；在所述第一固化SOG层表面涂覆第二SOG层，并对含有第二SOG层的集成电路半成品进行热处理；对所述第二SOG层进行离子注入处理，形成第二固化SOG层；在所述第二固化SOG层表面沉积第二层二氧化硅层。