| 发明名称 | 一种氮化镓基激光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在氮化镓衬底的上表面上；镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN103166109B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201310064059.2 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 溧阳市宏达电机有限公司 | 发明人 | 童小春 |
| 分类号 | H01S5/327(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/327(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种采用镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在氮化镓衬底的上表面上；镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上；其中，所述镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的厚度为150nm，该镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜中Mg的摩尔百分含量是8‑13％，砷的摩尔百分含量是0.5‑1.5％；所述n型氧化镍薄膜的厚度为200nm；其中，在常温下，镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的压电常数d<sub>33</sub>大于18pC/N，其电阻率大于10<sup>10</sup>Ω·cm。 | ||
| 地址 | 213300 江苏省常州市溧阳市北门东路86号 | ||