| 发明名称 | 一种基于硅电池的上转换加场效应结构的太阳电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体为一种基于硅电池的上转换加场效应结构的太阳电池及其制备方法。本发明制备方法的具体步骤包括：制备p-n结，对p型或n型硅片进行掺杂形成p-n结；n型表面钝化，蒸镀一层带正电的二氧化硅钝化层；p型表面钝化加场效应，蒸镀一层带负电的三氧化二铝；下表面掺杂一层稀土离子上转换材料；上表面镀减反射膜；蒸镀上下电极。本发明方法对设备要求较低，成本低廉，安全无毒，且得到一种新型结构的硅太阳电池，可用于大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104779305A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201510157384.2 | 申请日期 | 2015.04.04 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 邱迎;王亮兴;沈杰;陆明 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/055(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种基于硅电池的上转换加场效应结构的太阳电池的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）制备p‑n结，对p型或n型硅片进行掺杂形成p‑n结；（2）n型表面钝化，蒸镀一层带正电的二氧化硅钝化层；（3）p型表面钝化加场效应，蒸镀一层带负电的三氧化二铝；（4）下表面掺杂上转换材料；（5）上表面蒸镀二氧化硅和二氧化钛的双层膜作为减反射膜；（6）制作上下电极。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||