| 发明名称 | 增强栅控和电流驱动的FINFET器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明主要涉及FINFET器件，更确切地说，涉及一种带有鳍形堆叠结构的FINFET半导体器件及其制备方法，来增强栅极控制和电流驱动能力。包括一个衬底，和位于衬底之上的鳍形堆叠结构，还包括围绕在鳍形堆叠结构两侧及上方的栅极结构，其中鳍形堆叠结构包括一沙漏状的底部鳍片和位于底部鳍片之上的一沙漏状的顶部鳍片。 | ||
| 申请公布号 | CN104779283A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410010635.X | 申请日期 | 2014.01.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种FinFET半导体器件，其特征在于，包括：一衬底；位于衬底之上的鳍形堆叠结构；围绕在鳍形堆叠结构两侧及上方的栅极结构；其中鳍形堆叠结构包括一沙漏状的底部鳍片和位于底部鳍片之上的一沙漏状的顶部鳍片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||