一种改善SONOS闪存中ONO结构的数据存储时效的方法

摘要

一种改善SONOS闪存中ONO结构的数据存储时效的方法，在生成氮氧化硅层的时候，控制一氧化二氮和氨气的气体比例，使得Si-H键主要分布从隧穿氧化层与氮氧化硅层的界面迁移到氮氧化硅层和隔绝氧化层之间的界面上。由于隔绝氧化层远厚于隧穿氧化层，这一改变减少了存储在氮氧化硅层中电子通过隧穿氧化层逃逸的几率，从而改善了ONO层的数据存储时效，提高了SONOS闪存的良率和可靠性。

主权项

一种改善SONOS闪存中ONO结构的数据存储时效的方法，该方法用于ONO结构的制程中，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、形成隧穿氧化层（Tunox）；隧穿氧化层的成分是二氧化硅，由氧气和硅经氧化反应生成隧穿氧化层：Si（固体）+ O₂（气体）à SiO₂（固体）；步骤2、形成氮氧化硅层（Oxnit）；氮氧化硅层的成分是氮氧化硅，由二氯硅烷和一氧化二氮及氨气反应生成氮氧化硅层：SiH₂Cl₂（气体）+ N₂O（气体）+ NH₃（气体）à SiO_xN_y（固体）+HCl（气体）；其中，气体比例NH₃：N₂O>1.4：1；步骤3、形成隔绝氧化层；隔绝氧化层的成分是二氧化硅，由二氯硅烷和一氧化二氮反应生成隔绝氧化层：SiH₂Cl₂（气体）+ 2N₂O（气体）à SiO₂（固体）+ 2N₂（气体）+2HCl（气体）。