发明名称 |
高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备 |
摘要 |
本发明提供一种高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备,本发明多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤:将硅料在容器内熔化成熔融硅料;拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时,抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体;抽真空的同时,采用压杆在壳体上穿孔,所述壳体内部硅液在负压的作用下从孔中流出至壳体表面,待熔体全部流出停止压杆在壳体上穿孔,流出的硅液在壳体上凝固,实现富集杂质铸锭和较高纯度铸锭的分离。本发明还能抑制富集杂质的反向扩散,同时更可方便切除定向凝固提纯得到的富集杂质的铸锭,提高多晶硅生产中的出成率。 |
申请公布号 |
CN103266349B |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201310209897.4 |
申请日期 |
2013.05.31 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
姜大川;任世强;石爽;谭毅;邱介山 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
大连星海专利事务所 21208 |
代理人 |
徐淑东 |
主权项 |
一种多晶硅铸锭硅真空固液分离方法,其特征在于,包括以下步骤:将硅料在容器内熔化成熔融硅料;拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时,抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体,所述抽真空使操作体系内的气压为0.1~3Pa;抽真空的同时,采用压杆在壳体上穿孔,所述压杆在壳体上穿孔的频率为0.1‑4Hz;所述壳体内部硅液在负压的作用下从孔中流出至壳体表面,待硅液全部流出停止压杆在壳体上穿孔,流出的熔体在壳体上凝固,实现富集杂质铸锭和较高纯度铸锭的分离。 |
地址 |
116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号 |