半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括第一基板和在第一基板上的导电图案，其中导电图案设置为层叠地从所述基板竖直地延伸。有源柱可以在第一基板上从第一基板穿过导电图案竖直地延伸，以在第一基板上提供竖直的串晶体管。第二基板可以在导电图案和有源柱上并且与第一基板相对。外围电路晶体管可以在与第一基板相对的第二基板上，其中外围电路晶体管可以邻近并重叠导电图案中的最上面的图案。

主权项

一种半导体器件，包括：第一基板；在所述第一基板上的导电图案，所述导电图案设置为层叠地从所述第一基板竖直地延伸；在所述第一基板上的有源柱，从所述第一基板穿过所述导电图案竖直地延伸，以在所述第一基板上提供竖直的串晶体管；在所述导电图案和所述有源柱上的第二基板，与所述第一基板相对；以及外围电路晶体管，在与所述第一基板相对的所述第二基板上，其中所述外围电路晶体管邻近并重叠所述导电图案中的最上面的图案，其中所述第一基板还包括阱区和源极区，所述有源柱从所述阱区竖直地延伸。