发光二极体之制备方法

主权项

一种发光二极体之制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一缓冲层以及一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；步骤c：形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；步骤d：形成一金属层于所述第三光学对称层远离基底的表面；步骤e：形成一第四光学对称层于所述金属层远离基底的表面，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；步骤f：形成一第一光学对称层于所述第四光学对称层远离基底的表面，该第一光学对称层的折射率n1与所述缓冲层及有源层的整体的等效折射率n2的差值△n1于等于0.3，其中△n1=|n1-n2|；步骤g：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；及步骤h：在第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与第二半导体层电连接。