基座基板之制造方法、电子装置之制造方法、基座基板及电子机器

主权项

一种基座基板之制造方法，其特征在于包括如下步骤：准备绝缘体基板；于上述绝缘体基板上形成以含有钨及钼中之至少1种且熔点为1000℃以上之金属为主成分之第1膜；于上述第1膜上形成以镍为主成分且含有硼之第2膜；对上述第1膜及上述第2膜进行烧结处理，而形成第1金属层；及于上述第1金属层上形成以钯为主成分之第2金属层。