首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
スイングラチェットを有するレンチの改良構造
摘要
<p>【課題】スイングラチェットを有するレンチの改良構造を提供する。【解決手段】本体1のヘッド12は駆動部材2が内設される貫通孔13を有し、且つリングストッパー4のカバー42により駆動部材が貫通孔内に制限され、カバーの通り抜ける孔43の内側縁が駆動部材の接続端22の周縁部221を当接させ、且つ駆動部材のヘッドの幅方向に揺動する角度を制限させ、デテント部3のギアストッパー31がラチェット21から脱離せずに完全に噛合される。【選択図】図3</p>
申请公布号
JP3198549(U)
申请公布日期
2015.07.09
申请号
JP20150002082U
申请日期
2015.04.24
申请人
发明人
分类号
B25B13/36
主分类号
B25B13/36
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
RECORDING APPARATUS
SHEET PROCESSING DEVICE AND IMAGE FORMING SYSTEM
ELECTRONIC DEVICE PACKAGE AND PACKAGING SUBSTRATE FOR THE SAME
MITIGATING PATTERN COLLAPSE
Method for Packaging Quad Flat Non-Leaded Package Body, and Package Body
SEMICONDUCTOR DEVICE
MITIGATION OF FAR-END CROSSTALK INDUCED BY ROUTING AND OUT-OF-PLANE INTERCONNECTS
Method Of Modifying Surfaces
INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A DIRECTIONAL LIGHT SENSOR
SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
PERPENDICULAR MAGNETORESISTIVE MEMORY ELEMENT
Adaptive Fin Design for FinFETs
SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof
FIN FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND FABRICATION METHOD THEREOF
Transistor Structure for Electrostatic Discharge Protection
Vertical Tunneling Field-Effect Transistor Cell and Fabricating the Same
METHOD OF PRODUCING A HIGH-VOLTAGE-RESISTANT SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING VERTICALLY CONDUCTIVE SEMICONDUCTOR BODY AREAS AND A TRENCH STRUCTURE
Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween
METHOD FOR FABRICATING A FINFET DEVICE INCLUDING A STEM REGION OF A FIN ELEMENT