オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法及びオプトエレクトロニクス半導体チップ

摘要

本方法は、オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するために構成されており、Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦̸ｘ４≦̸０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦̸０．４、を基礎とする第４のバリア層を、成長方向に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させるステップと、第４のバリア層に、ＩｎyＧａ1-yＮ、但し０．０８≦̸ｙ≦̸０．３５、を基礎とする量子井戸層を成長させるステップと、量子井戸層に、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し０≦̸ｘ１≦̸０．４０、且つ平均して０＜ｙ１≦̸０．４、を基礎とする第１のバリア層を、成長方向に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させるステップと、第１のバリア層に、ＧａＮを基礎とする第２のバリア層を成長させるステップと、第２のバリア層に、Ｈ2ガスの供給下で、ＧａＮを基礎とする第３のバリア層を成長させるステップとを備えている。