RESISTANCE VARIABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
摘要
<p>가변저항 기억 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 하부 전극 상에 식각 저지막을 형성하고, 상기 식각 저지막 상에 몰딩막을 형성하고, 상기 식각 저지막 및 상기 몰딩막을 리세스하여 제 1 폭을 갖는 하부와 제 2 폭을 갖는 상부를 포함한 리세스 영역을 형성하고, 상기 리세스 영역 내에 가변저항막을 형성하는 것을 포함한다.</p>
