用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法

摘要

本发明涉及用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法。具体而言，该方法主要提供成用于将薄膜溅射到单独基底(12)上。单独基底(12)可传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力。然后，单独基底(12)可传送到溅射室(166)中，且穿过平面磁控管由电离气体以溅射压力连续地溅射靶材(170)，使得薄膜形成在单独基底的表面上。该靶材(170)经受高频功率，该高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有从大约400kHz至大约4MHz的频率。在一个特定实施例中，该方法可主要针对将薄膜溅射到单独基底(12)上，该单独基底限定具有大约1000cm²至大约2500cm²的表面面积的表面。

主权项

一种将薄膜溅射到单独基底上的方法，所述方法包括：将单独基底传送到真空室中以抽取小于50mTorr的溅射压力；以及，将所述单独基底传送到溅射室中且穿过平面磁控管，从而由电离气体以所述溅射压力和在溅射温度下连续地溅射半导体靶材，使得薄膜形成在所述单独基底的表面上，以及其中，所述半导体靶材经受高频功率，所述高频功率在大于1 kW的功率水平下具有400 kHz至4 MHz的频率，其中，所述半导体靶材包括硫化镉。