发明名称 光辅助多孔硅电化学腐蚀槽
摘要 本发明提供了一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽,包括:槽体;位于所述槽体内的用以固定待腐蚀硅片的固定架;位于所述槽体内的电极,所述电极包括阴极电极及阳极电极,所述阴极电极及阳极电极分别位于所述固定架两侧;及位于所述槽体内的光辅助结构,所述光辅助结构位于所述固定架及阴极电极之间,用以向所述待腐蚀硅片提供光照,所述光辅助结构的光源密封于透明聚碳酸酯PC塑料内,并具有槽栅结构以利于腐蚀液流动。当进行双槽电化学腐蚀工艺时,通过位于槽体内且位于阴极电极及一待腐蚀硅片之间的光辅助结构,近距离地、直接地照射待腐蚀硅片,从而有效地在待腐蚀硅片中形成一定浓度的空穴,进而保证双槽电化学腐蚀工艺的质量及效率。
申请公布号 CN102618914B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201210110252.0 申请日期 2012.04.13
申请人 杭州士兰集成电路有限公司 发明人 闻永祥;刘琛;季峰;江为团
分类号 C25F3/12(2006.01)I;C25F3/14(2006.01)I;C25F7/00(2006.01)I 主分类号 C25F3/12(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽,包括:槽体;位于所述槽体内的用以固定待腐蚀硅片的固定架;位于所述槽体内的电极,所述电极包括阴极电极及阳极电极,所述阴极电极及阳极电极分别位于所述固定架两侧;其特征在于,还包括:位于所述槽体内的光辅助结构,所述光辅助结构位于所述固定架及阴极电极之间,用以向所述待腐蚀硅片提供光照;所述电极为石墨电极;所述光辅助结构包括光源和透明聚碳酸酯PC塑料,所述光源密封于所述透明聚碳酸酯PC塑料内;所述透明聚碳酸酯PC塑料为槽栅结构,使得腐蚀液从透明聚碳酸酯PC塑料的一侧流向另一侧。
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