| 发明名称 | Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件 | ||
| 摘要 | 本发明创造涉及一种Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是：包括P型衬底，P型衬底上设置N阱，在N阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区，第一N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；在P型衬底上设有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；第一P+注入区接阳极，第二N+注入区接阴极；Native NMOS源接第一N+注入区，Native NMOS漏接第二P+注入区，Native NMOS衬底接电路的Vss。本发明Native NMOS导通后，Native NMOS的导通电流充当SCR期间的触发电流，触发晶闸管SCR导通，晶闸管导通后，晶闸管电流导通大部分ESD 电流，从而实现了ESD保护。 | ||
| 申请公布号 | CN103178105B | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201310123051.9 | 申请日期 | 2013.04.10 |
| 申请人 | 辽宁大学 | 发明人 | 蔡小五;刘兴辉;魏俊秀;梁超;闫明;吕川;高哲;郭红梅 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 | 代理人 | 金春华 |
| 主权项 | Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件，包括P型衬底（6），P型衬底（6）上设置N阱（5），其特征在于：在N阱（5）上设有第一P+注入区（1）和第一N+注入区（2），第一N+注入区（2）临近N阱（5）和P型衬底（6）的交界处；在P型衬底（6）上设有第二P+注入区（3）和第二N+注入区（4），第二P+注入区（3）临近N阱（5）和P型衬底（6）的交界处；第一P+注入区（1）接阳极，第二N+注入区（4）接阴极；Native NMOS（30）源接第一N+注入区（2），Native NMOS（30）漏接第二P+注入区（3），Native NMOS（30）衬底接电路的Vss；所述的Native NMOS的结构是在p型衬底上直接设置两个N+注入区，此Native NMOS管子不需要Pwell，其开启电压为负值。 | ||
| 地址 | 110136 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号 | ||