发明名称 太阳能电池及其制造方法
摘要 本发明涉及包括载体(6)、背电极层(5)、至少一个氢化微晶硅光电器件(9)和上电极层(11)的太阳能电池。背电极层(5)具有粗糙表面。该太阳能电池在背电极层(5)和氢化微晶硅光电器件(9)之间包括不对称中间层(8),所述中间层(8)邻接所述氢化微晶硅光电器件(9)并在背电极层(5)一侧的表面的粗糙度大于在氢化微晶硅器件(9)一侧的所述中间层(8)的表面粗糙度。这种太阳能电池允许获得最佳Voc和FF参数,同时维持高的电流。
申请公布号 CN102668126B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201080042433.3 申请日期 2010.09.22
申请人 洛桑联邦理工学院(EPFL) 发明人 C·巴里夫;F-J·豪格;S·斯威特纳姆;T·瑟德斯特伦
分类号 H01L31/056(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/056(2014.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民;张全信
主权项 太阳能电池,其包括载体(6)、背电极层(5)、至少一个氢化微晶硅光电器件(9)和上电极层(11),其特征为所述背电极层(5)具有粗糙表面,以及所述太阳能电池在所述背电极层(5)和所述氢化微晶硅光电器件(9)之间包括具有3和3.7之间的折射率n的不对称中间层(8),所述中间层(8)邻接所述氢化微晶硅光电器件(9)并在所述背电极层(5)一侧的表面的粗糙度大于在所述氢化微晶硅器件(9)一侧的所述中间层(8)的表面的粗糙度,所述载体(6)、所述背电极层(5)、所述中间层(8)、所述氢化微晶硅光电器件(9)和所述上电极层(11)以下列顺序布置:所述背电极层(5)布置在所述载体(6)上;所述不对称中间层(8)布置在所述背电极层(5)上远离所述载体(6)的一侧;所述氢化微晶硅光电器件(9)布置在所述中间层(8)上远离所述载体(6)的一侧;所述上电极层(11)布置在所述氢化微晶硅光电器件(9)上远离所述载体(6)的一侧。
地址 瑞士洛桑市