具有晶体管的半导体元件的制法

摘要

本发明公开一种具有晶体管的半导体元件的制法，包括：提供一承载板；于该承载板上形成金属氧化物半导体层；于该金属氧化物半导体层上形成介电层；于该介电层上形成孔洞状图案化遮罩层，该孔洞状图案化遮罩层构成微纳米级线宽的图案，以外露部分该介电层；使该金属氧化物半导体层外露于该介电层开孔；对外露的该金属氧化物半导体层进行表面处理，以使该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度增加；以及于外露的该金属氧化物半导体层上形成源极金属层与漏极金属层。

主权项

一种具有晶体管的半导体元件的制法，其特征在于，包括：提供一承载板；于该承载板上形成金属氧化物半导体层；于该金属氧化物半导体层上形成介电层，使该金属氧化物半导体层夹置于该承载板与介电层之间；于该介电层上涂布多个5纳米至50微米的微纳米球，并于该介电层与所述微纳米球上形成金属材料的遮罩层，接着移除所述微纳米球及其上的遮罩层以形成孔洞状图案化遮罩层，该孔洞状图案化遮罩层用于构成微纳米级线宽的图案，以外露部分该介电层；移除未被该孔洞状图案化遮罩层所覆盖的介电层，以形成介电层开孔，使该金属氧化物半导体层外露于该介电层开孔；借由光退火处理对外露的该金属氧化物半导体层进行表面处理，以使该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度增加，使该金属氧化物半导体层的表层构成具有10纳米至999微米的微纳米级线宽的图案的高载子浓度子层；以及于外露的该金属氧化物半导体层上形成源极金属层与漏极金属层。