发明名称 |
增强NAND型FLASH可靠性的方法 |
摘要 |
本发明涉及闪存技术领域,尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法,包括:预先获取NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数;预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数,建立衰退模型,并保存衰退模型至存储阵列中;在使用过程中,进行读取、擦除或编程时,根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式;根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。本发明技术方案在读取、擦除或编程时利用衰退模型对存储单元的阈值电压进行补偿,增强了NAND型FLASH的可靠性。 |
申请公布号 |
CN104766629A |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201410007085.6 |
申请日期 |
2014.01.07 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
刘会娟;朱一明;苏志强 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
胡彬 |
主权项 |
一种增强NAND型FLASH可靠性的方法,其特征在于,包括:预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数;预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数,建立衰退模型,并保存衰退模型至存储阵列中;在使用过程中,进行读取、擦除或编程时,根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式;根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |