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<p>로컬 비트 라인 쌍과 글로벌 비트 라인 쌍을 이용한 계층적 DRAM 감지 장치 및 방법. 워드 라인이 감지 증폭기들의 클러스터 내의 셀을 선택하며, 감지 증폭기 각각은 한 쌍의 비트 라인과 연관된다. 글로벌 비트 라인 및 글로벌 감지 증폭기에 커플링하기 위해 로컬 비트 라인 중 하나의 로컬 비트 라인이 선택된다. 클러스터는 뱅크를 형성하는 복수의 서브어레이 내에 위치되며, 글로벌 비트 라인은 뱅크 각각으로부터 글로벌 감지 증폭기로 연장된다.</p> |
