传输门电路及半导体装置

摘要

本发明涉及传输门电路及半导体装置。本发明提供能对应于各种输入电压而实现高S/N特性的传输门电路。其中包括：PMOS晶体管(11)，其在从漏极被输入输入电压Vin、栅极被输入电压(Vin-Vs1)时导通，并且将输入电压Vin作为输出电压Vout而从源极输出；以及NMOS晶体管(12)，其具有与PMOS晶体管(11)相等的栅极长度、栅极宽度、栅极氧化膜厚度和阈值电压的绝对值，在从漏极被输入输入电压Vin、栅极被输入电压(Vin+Vs1)时导通，并且将输入电压Vin作为输出电压Vout而从源极输出。

主权项

一种传输门电路，从输出端子输出从输入端子输入的输入电压，其特征在于，包括：第一电平移位器，该第一电平移位器被输入所述输入电压，输出对所述输入电压相加规定电压的第一电压；第二电平移位器，该第二电平移位器被输入所述输入电压，输出对所述输入电压减去所述规定电压后的第二电压；栅极电压选择电路，被输入所述第一电压和所述第二电压，具有切换所述第一电压和所述第二电压并互补地输出的第一输出端子和第二输出端子；PMOS晶体管，其栅极与所述第一输出端子连接；以及NMOS晶体管，其栅极与所述第二输出端子连接，所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管，栅极长度、栅极宽度、栅极氧化膜厚度、和阈值电压的绝对值相等。