鳍式场效电晶体半导体元件及形成其的方法;FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

提供finFET半导体元件以及形成所述finFET半导体元件的方法。所述finFET半导体元件可包含：绝缘体层；底半导体层，位于所述绝缘体层上；通道鳍，位于所述底半导体层上；源极区，位于所述底半导体层上且邻近于所述通道鳍的第一侧；以及汲极区，位于所述底半导体层上且邻近于与所述第一侧相对的所述通道鳍的第二侧。