堆叠集成芯片及其制造方法

摘要

描述了堆叠集成芯片及其制造方法。在一个实施例中，形成半导体芯片的方法包括从第一衬底的顶面形成用于衬底通孔的开口。用绝缘衬垫对开口的侧壁加衬，并用导电填充材料来填充开口。从相对的底面开始蚀刻第一衬底以形成突起，突起被绝缘衬垫所覆盖。在突起周围沉积抗蚀剂层，以露出绝缘衬垫的一部分。蚀刻所露出的绝缘衬垫，以沿着突起形成侧壁隔离物。

主权项

一种形成半导体芯片的方法，所述方法包括：从第一衬底的顶面形成用于衬底通孔的开口；用绝缘衬垫对所述开口的侧壁加衬；用导电填充材料来填充所述开口；从相对的底面开始蚀刻所述第一衬底以形成突起，所述突起被所述绝缘衬垫所覆盖；在所述突起周围沉积抗蚀剂层，以露出所述绝缘衬垫的一部分；以及蚀刻所露出的绝缘衬垫，以沿着所述突起形成侧壁隔离物；并且，所述方法还包括：在所述突起的所述导电填充材料上形成浸润层；以及形成焊球结合点，以将所述第一衬底上的有源电路电连接至第二衬底上的有源电路，其中，所述浸润层包括使用无电电镀工艺形成的镍/金层。