| 发明名称 | 光刻胶去除的后处理方法及半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种光刻胶去除的后处理方法及半导体器件的制作方法。其中，光刻胶去除的后处理方法包括：采用HF溶液对去除光刻胶后的半导体器件进行第一次清洗；以及采用臭氧水对第一次清洗后的半导体器件进行第二次清洗。该方法通过先后采用HF溶液和臭氧水对半导体器件进行清洗，从而去除了半导体器件上残留的颗粒尺寸较小的光刻胶，获得满足现有工艺对半导体器件表面洁净程度要求的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104752196A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310754270.7 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种光刻胶去除的后处理方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，采用HF溶液对去除光刻胶后的所述半导体器件进行第一次清洗；以及步骤S2，采用臭氧水对所述第一次清洗后的所述半导体器件进行第二次清洗。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||