一种半导体突波抑制器封装体结构

摘要

本发明涉及一种半导体突波抑制器封装体结构，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而保护层则包覆在涂覆层的外部，涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度，而第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。本发明散热效果好、成本低、且具有绝缘、防水、耐高温、以及更好的可靠度的特点。

主权项

一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在所述的第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而所述的保护层则包覆在涂覆层的外部，所述的保护层的厚度小于突波抑制器的长度，而所述的第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。