发明名称 半导体装置,制造半导体装置之方法及具有半导体装置之电子器具
摘要
申请公布号 TWI490925 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW096114653 申请日期 2007.04.25
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山田大干;青木智幸
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包含:积体电路;电极,用以连接该积体电路至外部电路;在该电极下方的绝缘层;以及非导电性树脂糊,系插置于该外部电路与该电极之间,其中,该电极包括在该电极之中央部分中的凸出部分,及在该凸出部分之外而具有凹入弯曲表面的周边部分,其中,该凸出部分具有一形状,而该形状具有从该周边部分朝向该中央部分而连续改变的倾斜角度,其中,该周边部分具有随着其膜厚度自该中央部分朝向末端部分减少而和缓地逐渐变细的形状,其中,该周边部分的该末端部分系与该绝缘层的顶面相接触,其中,该非导电性树脂糊系与该周边部分的顶面相接触,其中,该凸出部分的顶面被转圆,并且其中,该凸出部分系插入于该外部电路内。
地址 日本