发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明的半导体装置的特征在于,包括:搭载有功率半导体元件(2)的第1基板(1)、散热板(12)、配置在第1基板(1)与散热板(12)之间的绝缘层(11)、以及对第1基板(1)和散热板(12)及绝缘层(11)进行密封的密封树脂(4),散热板(12)的与绝缘层(12)相反一侧的第1面从密封树脂(4)露出,绝缘层(11)具有向第1面侧弯曲的弯曲区域(11a),且其端部存在于密封树脂(4)内。
申请公布号 CN104756249A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201480002586.3 申请日期 2014.02.03
申请人 松下知识产权经营株式会社 发明人 田中淳也
分类号 H01L23/36(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L23/36(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张鑫
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:搭载有半导体元件的第1基板;散热板;配置在所述第1基板与所述散热板之间的绝缘层;以及对所述第1基板、所述散热板、及所述绝缘层进行密封的密封树脂,所述散热板的与所述绝缘层相反一侧的第1面从所述密封树脂露出,所述绝缘层具有向所述第1面侧弯曲的弯曲区域且其端部存在于所述密封树脂内。
地址 日本大阪府