| 发明名称 | 一种带表面钝化工艺的GaN、HEMT的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，使用电子束蒸发设备制备Ti/Al/Ni/Au源漏金属形成欧姆接触，使用化学收缩法制备T型栅，在纯氮环境下，进行850℃持续1分钟的热退火处理；使用ICP设备对GaN晶圆表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理；使用PECVD设备生长SiN钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN104752201A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201510107069.9 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 王智勇;高鹏坤;王青;张绵;郑建华 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 沈波 |
| 主权项 | 一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，使用电子束蒸发设备制备Ti/Al/Ni/Au源漏金属形成欧姆接触，使用化学收缩法制备T型栅，在纯氮环境下，进行850℃持续1分钟的热退火处理；使用ICP设备对GaN晶圆表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理；使用PECVD设备生长SiN钝化层。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||