射频LDMOS器件及工艺方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件，在P型衬底上的P型外延中具有体区及N型轻掺杂漂移区，外延表面具有LDMOS器件的多晶硅栅极及法拉第屏蔽层，所述的N型漂移区中还包含有第二N型掺杂区，且第二N型掺杂区表面处还具有浅P型掺杂区，所述的射频LDMOS器件具有较低的导通电阻，同时还提高了饱和电流。本发明还公开了所述的射频LDMOS器件的工艺方法，包含形成P型外延生长、多晶硅栅极形成、N型漂移区注入、P阱形成、第二N型掺杂区及浅P型掺杂区注入、源漏端注入、法拉第屏蔽层及钨塞形成等步骤。

主权项

一种射频LDMOS器件，在P型衬底上具有P型外延，所述P型外延中具有P型体区，以及位于P型体区中的重掺杂P型区和所述射频LDMOS器件的源区；所述P型外延中还具有轻掺杂漂移区；所述P型体区与轻掺杂漂移区之间的硅表面具有栅氧及覆盖在栅氧之上的多晶硅栅极；多晶硅栅极之上具有氧化硅介质层及法拉第屏蔽层；在P型体区远离轻掺杂漂移区的一侧具有穿通外延层且其底部位于P型衬底的钨塞，钨塞上端连接所述重掺杂P型区；其特征在于：所述轻掺杂漂移区中还包含有第二N型掺杂区，所述LDMOS器件的漏区位于所述轻掺杂漂移区中；所述第二N型掺杂区的表面具有浅P型掺杂区。