发明名称 高次模同轴输出腔
摘要 本发明提供一种高次模同轴输出腔,其具有广谱杂模抑制功能,由高次模同轴谐振腔、杂模抑制装置及输出波导组成。所述杂模抑制装置包括:衰减腔,其中置有微波吸收材料;径向波导,使所述高次模同轴谐振腔中的包括工作模式在内的所有模式向外传输,并且使除所述工作模式之外的其余模式即非工作模式传输进入所述衰减腔;以及扼流波导,其在与所述径向波导的连接处对所述工作模式形成等效短路,从而将所述工作模式限制在所述高次模同轴谐振腔内,使所述工作模式不能传输进入所述衰减腔。据此,能够在降低杂谱电平的同时,对工作模式不造成影响,使速调管在工作模式稳定运行。
申请公布号 CN104752125A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201310750789.8 申请日期 2013.12.31
申请人 中国科学院电子学研究所 发明人 张瑞;王勇
分类号 H01J23/36(2006.01)I 主分类号 H01J23/36(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李国华
主权项 一种可单模工作的高次模同轴输出腔,用于多注速调管,所述高次模同轴输出腔的特征在于,所述高次模同轴输出腔包括高次模同轴谐振腔、杂模抑制装置以及输出波导,所述杂模抑制装置包括:衰减腔,其中置有微波吸收材料;径向波导,使所述高次模同轴谐振腔中的包括工作模式在内的所有模式向外传输,并且使除所述工作模式之外的其余模式即非工作模式传输进入所述衰减腔;以及扼流波导,其在与所述径向波导的连接处对所述工作模式形成等效短路,从而将所述工作模式限制在所述高次模同轴谐振腔内,使所述工作模式不能传输进入所述衰减腔。
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