| 发明名称 | 一种半导体金属氧化物的原位合成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括：在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)<sub>y</sub>或其溶液或TiCl4，置于空气中10秒以上，形成水解层；再将其置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子；再通过30-60分钟的退火（退火温度400-500℃），即可以得到结晶性良好的半导体氧化物。相比于同体系的纳米颗粒材料，本发明制备的半导体金属氧化物结晶性更高，载流子迁移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、光降解有机污染物及锂离子电池等领域得到广泛的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN104752188A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310746845.0 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 邹德春;傅永平;彭鸣;于潇;蔡欣;简蓉 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;C01G23/053(2006.01)I;C01G19/02(2006.01)I;C01G33/00(2006.01)I;C01B3/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括如下步骤：（1）在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)<sub>y</sub>或者金属醇化物M(OR)<sub>y</sub>溶液或者TiCl<sub>4</sub>，然后将所述基底置于空气中10秒以上形成水解层，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子，y的取值范围是4‑5；（2）将步骤（1）中所述基底置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物；（3）将步骤（2）中所述的半导体金属氧化物在400‑500℃温度下，退火30～60min，即得到结晶性良好的半导体金属氧化物。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||