| 发明名称 | 改良位元线电容单一性之３Ｄ阵列记忆体结构 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI490862 | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | TW100136822 | 申请日期 | 2011.10.11 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 洪俊雄;吕函庭;陈士弘 |
| 分类号 | G11C16/06;H01L21/8247;H01L27/115 | 主分类号 | G11C16/06 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一记忆体装置，包括：一记忆体阵列，系具有位于复数个平面位置的复数记忆体单元；复数个阶梯接触结构，系具有复数个平面位置的复数个序列，该些序列至少包括两相异序列，每个该些序列系描绘了该些阶梯接触结构之一阶梯接触结构耦接至复数条位元线的该些平面位置之顺序特征；其中，位于该些阶梯接触结构之相邻两阶梯接触结构中的部分该记忆体阵列中的该些位元线之一者，耦接至位于该些平面位置之一者上的该些记忆体单元，并且不会和位于该些平面位置之其他者上的该些记忆体单元耦接。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||