发明名称 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
摘要 本发明提供一种衬底处理装置,防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理,具有:在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间;在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间;与上述搬运空间连接的第1排气管;与上述缓冲空间连接的第2排气管;与上述处理空间连接的第3排气管;与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管;设于上述第1排气管的第1真空泵;设于上述第4排气管的第2真空泵;在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀;设于上述第2排气管的第2阀;以及设于上述第3排气管的第3阀。
申请公布号 CN104752273A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201410092872.5 申请日期 2014.03.13
申请人 株式会社日立国际电气 发明人 芦原洋司;小川有人
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 陈伟;金杨
主权项 一种衬底处理装置,其向处理空间供给气体而对衬底进行处理,该衬底处理装置具有:在所述处理空间的上游侧使所述气体分散的缓冲空间;在将所述衬底向所述处理空间搬运时供所述衬底通过的搬运空间;与所述搬运空间连接的第1排气管;与所述缓冲空间连接的第2排气管;与所述处理空间连接的第3排气管;与所述第1排气管、所述第2排气管及所述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管;设于所述第1排气管的第1真空泵;设于所述第4排气管的第2真空泵;在所述第1排气管中设于所述第1真空泵的下游侧的第1阀;设于所述第2排气管的第2阀;以及设于所述第3排气管的第3阀。
地址 日本东京都