发明名称 |
衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种衬底处理装置,防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理,具有:在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间;在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间;与上述搬运空间连接的第1排气管;与上述缓冲空间连接的第2排气管;与上述处理空间连接的第3排气管;与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管;设于上述第1排气管的第1真空泵;设于上述第4排气管的第2真空泵;在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀;设于上述第2排气管的第2阀;以及设于上述第3排气管的第3阀。 |
申请公布号 |
CN104752273A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201410092872.5 |
申请日期 |
2014.03.13 |
申请人 |
株式会社日立国际电气 |
发明人 |
芦原洋司;小川有人 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
陈伟;金杨 |
主权项 |
一种衬底处理装置,其向处理空间供给气体而对衬底进行处理,该衬底处理装置具有:在所述处理空间的上游侧使所述气体分散的缓冲空间;在将所述衬底向所述处理空间搬运时供所述衬底通过的搬运空间;与所述搬运空间连接的第1排气管;与所述缓冲空间连接的第2排气管;与所述处理空间连接的第3排气管;与所述第1排气管、所述第2排气管及所述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管;设于所述第1排气管的第1真空泵;设于所述第4排气管的第2真空泵;在所述第1排气管中设于所述第1真空泵的下游侧的第1阀;设于所述第2排气管的第2阀;以及设于所述第3排气管的第3阀。 |
地址 |
日本东京都 |