| 主权项 |
一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一阱，所述第一阱具有第一导电类型并且形成在所述半导体衬底的主面中；第二阱，所述第二阱具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并且定位为被包括在所述第一阱中；第三阱，所述第三阱具有所述第二导电类型并且定位为被包括在所述第一阱中，并且沿所述第二阱延伸，同时与所述第二阱电隔离；以及非易失性存储单元，所述非易失性存储单元定位为二维地重叠所述第二和所述第三阱，其中，所述非易失性存储单元包括：浮栅电极，所述浮栅电极定位为在第一方向上延伸并且二维地重叠所述第二和所述第三阱；定位在第一位置处的用于写入/擦除数据的元件，在所述第一位置处所述浮栅电极二维地重叠所述第二阱；以及定位在第二位置处的用于读取数据的场效应晶体管，在所述第二位置处所述浮栅电极二维地重叠所述第三阱，其中用于写入/擦除数据的元件包括：第一电极，所述第一电极由所述浮栅电极的形成在所述第一位置处的部分形成；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述第一电极和所述半导体衬底之间；第一半导体区和第二半导体区，所述第一半导体区和所述第二半导体区形成在所述第二阱中的所述第一电极插入其间的各位置处；以及所述第二阱，其中用于读取数据的所述场效应晶体管包括：第二电极，所述第二电极由所述浮栅电极的形成在所述第二位置处的部分形成；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜形成在所述第二电极和所述半导体衬底之间；以及第三半导体区和第四半导体区，所述第三半导体区和所述第四半导体区形成在所述第三阱中的所述第二电极插入其间的各位置处，其中所述第一半导体区具有所述第一导电类型，所述第二半导体区具有所述第二导电类型，并且所述第三半导体区和所述第四半导体区中的每一个都具有所述第一导电类型，并且其中在与所述第一方向相交的第二方向上所述第一电极的长度小于在所述第二方向上所述第二电极的长度。 |
